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Référence fabricant | RM25C128C-LSNI-B |
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Numéro de pièce future | FT-RM25C128C-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM25C128C-LSNI-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 128kb (64B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128C-LSNI-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM25C128C-LSNI-B-FT |
RM24C32DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM24C64DS-LSNI-B
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RM24C64DS-LSNI-T
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RM24EP128A-BSNC-T
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EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel