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Référence fabricant | RLB1112V4-222J |
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Numéro de pièce future | FT-RLB1112V4-222J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB1112V4-222J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2mH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 350mA |
Courant - Saturation | 330mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 760kHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.453" Dia (11.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.532" (13.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-222J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB1112V4-222J-FT |
SDE1006A-560K
Bourns Inc.
SDE1006A-150M
Bourns Inc.
SDE1006A-391K
Bourns Inc.
SDE1006A-101K
Bourns Inc.
SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
Bourns Inc.
SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
Bourns Inc.
SDE1006A-1R5M
Bourns Inc.
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel