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Référence fabricant | SDE1006A-1R5M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE1006A-1R5M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE1006A |
SDE1006A-1R5M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 7.2A |
Courant - Saturation | 8A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 69.6MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-1R5M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE1006A-1R5M-FT |
SRN2508A-6R8M
Bourns Inc.
SRN2508A-R47M
Bourns Inc.
SRN2508A-R68M
Bourns Inc.
SRN2010TA-220M
Bourns Inc.
SRN2010TA-1R0Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-2R2M
Bourns Inc.
SRN2010TA-4R7M
Bourns Inc.
SRN2010TA-100M
Bourns Inc.
SRN2010TA-150M
Bourns Inc.
SRN2010TA-180M
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel