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Référence fabricant | RLB1112V4-152J |
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Numéro de pièce future | FT-RLB1112V4-152J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB1112V4-152J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5mH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 430mA |
Courant - Saturation | 380mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1.1MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.453" Dia (11.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.532" (13.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-152J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB1112V4-152J-FT |
SDE1006A-391K
Bourns Inc.
SDE1006A-101K
Bourns Inc.
SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
Bourns Inc.
SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
Bourns Inc.
SDE1006A-1R5M
Bourns Inc.
SDE1006A-220M
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SDE1006A-221K
Bourns Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel