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Référence fabricant | RLB1112V4-102J |
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Numéro de pièce future | FT-RLB1112V4-102J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB1112V4-102J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 510mA |
Courant - Saturation | 500mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1.1MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.453" Dia (11.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.532" (13.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-102J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB1112V4-102J-FT |
SDE1006A-150M
Bourns Inc.
SDE1006A-391K
Bourns Inc.
SDE1006A-101K
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SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
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SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
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SDE1006A-1R5M
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SDE1006A-220M
Bourns Inc.
EPF10K20TC144-4
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LFEC3E-4TN144C
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M2GL010-1VF400
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AGL030V5-VQ100I
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5SGXEA5N1F40I2N
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XC2V2000-4FFG896C
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A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
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