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Référence fabricant | RL875S-562K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-RL875S-562K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RL875S |
RL875S-562K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 5.6mH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 99mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 20.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 95 @ 252kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL875S-562K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL875S-562K-RC-FT |
RL895-153K-RC
Bourns Inc.
RL895-180K-RC
Bourns Inc.
RL895-183K-RC
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RL895-220K-RC
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RL895-221K-RC
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RL895-223K-RC
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RL895-271K-RC
Bourns Inc.
RL895-272K-RC
Bourns Inc.
RL895-273K-RC
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
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EP4SE820H40C4N
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AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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