maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / RJM0603JSC-00#12
Référence fabricant | RJM0603JSC-00#12 |
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Numéro de pièce future | FT-RJM0603JSC-00#12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RJM0603JSC-00#12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
Puissance - Max | 54W |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 20-HSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJM0603JSC-00#12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJM0603JSC-00#12-FT |
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