maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RJK4018DPK-00#T0
Référence fabricant | RJK4018DPK-00#T0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RJK4018DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RJK4018DPK-00#T0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 43A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK4018DPK-00#T0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJK4018DPK-00#T0-FT |
RQ3E070BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation