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Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB

Numéro de pièce MFG
RQ3E120BNTB
quantité disponible
35460 Pièces
Prix de référence
USD 0.12028
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RQ3E120BNTB.pdf
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RQ3E120BNTB Caractéristiques

Référence fabricant RQ3E120BNTB
Numéro de pièce future FT-RQ3E120BNTB
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RQ3E120BNTB Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E120BNTB Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RQ3E120BNTB-FT

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