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Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0

Numéro de pièce MFG
RJK0301DPB-02#J0
quantité disponible
33370 Pièces
Prix de référence
USD 0.8624
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RJK0301DPB-02#J0 Caractéristiques

Référence fabricant RJK0301DPB-02#J0
Numéro de pièce future FT-RJK0301DPB-02#J0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RJK0301DPB-02#J0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V
Vgs (Max) +16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 5-LFPAK
Paquet / caisse SC-100, SOT-669
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK0301DPB-02#J0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RJK0301DPB-02#J0-FT

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