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RCX080N25 Image

Rohm Semiconductor RCX080N25

Numéro de pièce MFG
RCX080N25
quantité disponible
63200 Pièces
Prix de référence
USD 0.912
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 250V 8A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RCX080N25.pdf
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RCX080N25 Caractéristiques

Référence fabricant RCX080N25
Numéro de pièce future FT-RCX080N25
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RCX080N25 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.23W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220FM
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RCX080N25 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RCX080N25-FT

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