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Référence fabricant | RCR108DNP-3R3N |
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Numéro de pièce future | FT-RCR108DNP-3R3N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RCR-108D |
RCR108DNP-3R3N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 4.9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 13.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 32MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.335" (8.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCR108DNP-3R3N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RCR108DNP-3R3N-FT |
PM40-R15M
Bourns Inc.
PM40-R22M
Bourns Inc.
PM40-R33M
Bourns Inc.
PM40-R47M
Bourns Inc.
PM40-R82M
Bourns Inc.
PM63S-100M
Bourns Inc.
PM63S-101K
Bourns Inc.
PM63S-120M
Bourns Inc.
PM63S-150M
Bourns Inc.
PM63S-180M
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
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EP2SGX60DF780C3
Intel