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Référence fabricant | PM63S-180M |
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Numéro de pièce future | FT-PM63S-180M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM63S |
PM63S-180M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 18µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 640mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 27MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.244" L x 0.220" W (6.20mm x 5.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM63S-180M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM63S-180M-FT |
PM20S-1R2K
Bourns Inc.
PM20S-1R5K
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PM20S-1R8K
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PM20S-220K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel