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RCD080N25TL Image

Rohm Semiconductor RCD080N25TL

Numéro de pièce MFG
RCD080N25TL
quantité disponible
95620 Pièces
Prix de référence
USD 0.5376
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RCD080N25TL.pdf
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RCD080N25TL Caractéristiques

Référence fabricant RCD080N25TL
Numéro de pièce future FT-RCD080N25TL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RCD080N25TL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur CPT3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RCD080N25TL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RCD080N25TL-FT

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