maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6100625XXYZ
Référence fabricant | R6100625XXYZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R6100625XXYZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6100625XXYZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 11µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6100625XXYZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6100625XXYZ-FT |
R30620
Microsemi Corporation
R30640
Microsemi Corporation
R30660
Microsemi Corporation
R30680
Microsemi Corporation
R30720
Microsemi Corporation
R30740
Microsemi Corporation
R30760
Microsemi Corporation
R3410
Microsemi Corporation
R34100
Microsemi Corporation
R34120
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel