Référence fabricant | R30660 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R30660 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
R30660 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R30660 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R30660-FT |
NRVS3GB
ON Semiconductor
NRVS3JB
ON Semiconductor
NRVS3KB
ON Semiconductor
NRVS3MB
ON Semiconductor
NSD914XV2T5G
ON Semiconductor
NSR05201MX4T5G
ON Semiconductor
NSR05402NXT5G
ON Semiconductor
NSRLL30XV2T5G
ON Semiconductor
NSRM0230M2T5G
ON Semiconductor
NSRM30CM3T5G
ON Semiconductor
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel