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Rohm Semiconductor R6012ANX
- Numéro de pièce MFG
- R6012ANX
- quantité disponible
- 55840 Pièces
- Prix de référence
- USD 3.072
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Rohm Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- R6012ANX.pdf
R6012ANX Caractéristiques
| Référence fabricant | R6012ANX |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-R6012ANX |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| R6012ANX Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-220FM |
| Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| R6012ANX Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | R6012ANX-FT |
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