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R6012ANX Image

Rohm Semiconductor R6012ANX

Numéro de pièce MFG
R6012ANX
quantité disponible
55840 Pièces
Prix de référence
USD 3.072
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
R6012ANX.pdf
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R6012ANX Caractéristiques

Référence fabricant R6012ANX
Numéro de pièce future FT-R6012ANX
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
R6012ANX Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220FM
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6012ANX Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R6012ANX-FT

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