maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TK650A60F,S4X
Référence fabricant | TK650A60F,S4X |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TK650A60F,S4X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSIX |
TK650A60F,S4X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.16mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 300V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220SIS |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK650A60F,S4X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK650A60F,S4X-FT |
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
IRFIZ24NPBF
Infineon Technologies
IRFIBE30GPBF
Vishay Siliconix
IRFI540NPBF
Infineon Technologies
R6030KNXC7
Rohm Semiconductor
IRFI530NPBF
Infineon Technologies
IRLIB9343PBF
Infineon Technologies
IRFIZ44NPBF
Infineon Technologies
IRFI3205PBF
Infineon Technologies
IRLIZ34GPBF
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation