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R6004JND3TL1 Image

Rohm Semiconductor R6004JND3TL1

Numéro de pièce MFG
R6004JND3TL1
quantité disponible
18970 Pièces
Prix de référence
USD 0.587216
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
R6004JND3TL1.pdf
R6004JND3TL1 Image

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R6004JND3TL1 Caractéristiques

Référence fabricant R6004JND3TL1
Numéro de pièce future FT-R6004JND3TL1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
R6004JND3TL1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 7V @ 450µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 15V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6004JND3TL1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R6004JND3TL1-FT

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