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Rohm Semiconductor R6002END3TL1

Name: R6002END3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6002END3TL1
Price: 0.30912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (184 reviews)

Numéro de pièce MFG: R6002END3TL1

quantité disponible: 20380 Pièces

Prix de référence: USD 0.30912

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - NCH 600V 2A POWER MOSFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: R6002END3TL1.pdf

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R6002END3TL1 Caractéristiques

Référence fabricant	R6002END3TL1
Numéro de pièce future	FT-R6002END3TL1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
R6002END3TL1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	26W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R6002END3TL1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	R6002END3TL1-FT

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