maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / QS8J2TR
Référence fabricant | QS8J2TR |
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Numéro de pièce future | FT-QS8J2TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS8J2TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
Puissance - Max | 550mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8J2TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS8J2TR-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
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