maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / QS8J11TCR
Référence fabricant | QS8J11TCR |
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Numéro de pièce future | FT-QS8J11TCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS8J11TCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
Puissance - Max | 550mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8J11TCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS8J11TCR-FT |
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Microsemi Corporation
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Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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