maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / QJD1210SB1
Référence fabricant | QJD1210SB1 |
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Numéro de pièce future | FT-QJD1210SB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
QJD1210SB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QJD1210SB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QJD1210SB1-FT |
FMM110-015X2F
IXYS
FMM150-0075P
IXYS
FMM300-0055P
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FS45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FW216A-TL-2WX
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ON Semiconductor
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
EP3C40F484C7
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5SGSMD3E2H29C2N
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XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F484C
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LCMXO3LF-6900C-5BG256I
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5CEFA2F23C7N
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EPF10K100EQC208-2X
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