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Référence fabricant | PTFA082201E V1 |
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Numéro de pièce future | FT-PTFA082201E V1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PTFA082201E V1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 894MHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 30V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.95A |
Puissance - sortie | 220W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | 2-Flatpack, Fin Leads |
Package d'appareils du fournisseur | H-36260-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA082201E V1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PTFA082201E V1-FT |
AFT27S012NT1
NXP USA Inc.
MHT1006NT1
NXP USA Inc.
MHT1008NT1
NXP USA Inc.
AFT05MS006NT1
NXP USA Inc.
MMRF1021NT1
NXP USA Inc.
BLA1011-300,112
Ampleon USA Inc.
NE34018-T1
CEL
MWT-1789SB
Microwave Technology Inc.
ARF446G
Microsemi Corporation
ARF447G
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP1S10F484C5
Intel
EP4SE360H29I3N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC7K325T-1FF900I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6F23I7N
Intel
10AX115N3F45E2LG
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EP4SGX530HH35I4
Intel