maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MHT1006NT1
Référence fabricant | MHT1006NT1 |
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Numéro de pièce future | FT-MHT1006NT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MHT1006NT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.17GHz |
Gain | 21.7dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 90mA |
Puissance - sortie | 1.26W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | PLD-1.5W |
Package d'appareils du fournisseur | PLD-1.5W-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MHT1006NT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MHT1006NT1-FT |
MRFG35010ANR5
NXP USA Inc.
MRF9030LSR5
NXP USA Inc.
MRF373ALSR1
NXP USA Inc.
ON5230,127
NXP USA Inc.
ON5233,118
NXP USA Inc.
ON5252,118
NXP USA Inc.
ON5174,118
NXP USA Inc.
ON5200,118
NXP USA Inc.
ON5213,118
NXP USA Inc.
ON5214,118
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4LN
Intel
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
EP2C70F896C6
Intel
EP3SL110F780C4L
Intel
EPF10K50VBI356-3
Intel