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Référence fabricant | PTFA081501F V1 |
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Numéro de pièce future | FT-PTFA081501F V1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GOLDMOS® |
PTFA081501F V1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 900MHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 950mA |
Puissance - sortie | 150W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | 2-Flatpack, Fin Leads |
Package d'appareils du fournisseur | H-31248-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA081501F V1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PTFA081501F V1-FT |
AFT27S010NT1
NXP USA Inc.
AFT27S012NT1
NXP USA Inc.
MHT1006NT1
NXP USA Inc.
MHT1008NT1
NXP USA Inc.
AFT05MS006NT1
NXP USA Inc.
MMRF1021NT1
NXP USA Inc.
BLA1011-300,112
Ampleon USA Inc.
NE34018-T1
CEL
MWT-1789SB
Microwave Technology Inc.
ARF446G
Microsemi Corporation
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel