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Référence fabricant | PSMN2R0-60PSRQ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN2R0-60PSRQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN2R0-60PSRQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 192nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 338W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R0-60PSRQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN2R0-60PSRQ-FT |
BUK9512-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9514-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9515-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.
BUK95150-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9516-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9516-75B,127
NXP USA Inc.
BUK9518-55,127
NXP USA Inc.
BUK9518-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK95180-100A,127
NXP USA Inc.
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel