maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK95180-100A,127
Référence fabricant | BUK95180-100A,127 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK95180-100A,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK95180-100A,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 173 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 619pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 54W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK95180-100A,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK95180-100A,127-FT |
PSMN3R9-60PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30PL,127
Nexperia USA Inc.
BUK6507-55C,127
NXP USA Inc.
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6510-75C,127
NXP USA Inc.
BUK652R0-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R1-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R3-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R6-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R7-30C,127
NXP USA Inc.
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel