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Référence fabricant | PSMN3R9-60PSQ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN3R9-60PSQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN3R9-60PSQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 263W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R9-60PSQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN3R9-60PSQ-FT |
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M17-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M21-40EX
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BUK7M22-80EX
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BUK7M27-80EX
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BUK7M33-60EX
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BUK7M42-60EX
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BUK7M45-40EX
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BUK7M67-60EX
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BUK7M6R3-40EX
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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