maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PQMB11Z
Référence fabricant | PQMB11Z |
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Numéro de pièce future | FT-PQMB11Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PQMB11Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Puissance - Max | 230mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010B-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMB11Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PQMB11Z-FT |
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1
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MUN5331DW1T1G
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XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K50RC240-4
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EP20K100QC208-3V
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