maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / MUN5331DW1T1G
Référence fabricant | MUN5331DW1T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5331DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5331DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5331DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5331DW1T1G-FT |
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
M2GL090-FG484
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP3C16E144I7N
Intel
5SGXEA7H2F35I3LN
Intel
LFE2-35E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA7U19C7N
Intel
10AX066H4F34I3LG
Intel
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP2SGX130GF40C4ES
Intel