maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / MUN5312DW1T1G
Référence fabricant | MUN5312DW1T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5312DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5312DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5312DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5312DW1T1G-FT |
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
EP3C40F324C8N
Intel
EP3C40F324C8
Intel