maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor MUN5312DW1T1G
- Numéro de pièce MFG
- MUN5312DW1T1G
- quantité disponible
- 87730 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.03536
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- MUN5312DW1T1G.pdf
MUN5312DW1T1G Caractéristiques
| Référence fabricant | MUN5312DW1T1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MUN5312DW1T1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MUN5312DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
| Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 250mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5312DW1T1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MUN5312DW1T1G-FT |
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