maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBC114TDXV6T1G
Référence fabricant | NSBC114TDXV6T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSBC114TDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC114TDXV6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC114TDXV6T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC114TDXV6T1G-FT |
XP0121500L
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XP0121E00L
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NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
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10AX016E4F29E3SG
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