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Nexperia USA Inc. PMXB65UPEZ

Numéro de pièce MFG
PMXB65UPEZ
quantité disponible
27970 Pièces
Prix de référence
USD 0.07136
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMXB65UPEZ.pdf
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PMXB65UPEZ Caractéristiques

Référence fabricant PMXB65UPEZ
Numéro de pièce future FT-PMXB65UPEZ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMXB65UPEZ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN1010D-3
Paquet / caisse 3-XDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB65UPEZ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMXB65UPEZ-FT

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