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Nexperia USA Inc. PMXB65ENEZ

Numéro de pièce MFG
PMXB65ENEZ
quantité disponible
98220 Pièces
Prix de référence
USD 0.149664
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMXB65ENEZ.pdf
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PMXB65ENEZ Caractéristiques

Référence fabricant PMXB65ENEZ
Numéro de pièce future FT-PMXB65ENEZ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMXB65ENEZ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN1010D-3
Paquet / caisse 3-XDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB65ENEZ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMXB65ENEZ-FT

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