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NXP USA Inc. PMT29EN,115

Numéro de pièce MFG
PMT29EN,115
quantité disponible
29950 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PMT29EN,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMT29EN,115
Numéro de pièce future FT-PMT29EN,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMT29EN,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 820mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMT29EN,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMT29EN,115-FT

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