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Nexperia USA Inc. PHK04P02T,518

Name: PHK04P02T,518
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PHK04P02T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (36 reviews)

Numéro de pièce MFG: PHK04P02T,518

quantité disponible: 54050 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: - MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PHK04P02T,518.pdf

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PHK04P02T,518 Caractéristiques

Référence fabricant	PHK04P02T,518
Numéro de pièce future	FT-PHK04P02T,518
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PHK04P02T,518 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	16V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	528pF @ 12.8V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHK04P02T,518 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PHK04P02T,518-FT

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