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Référence fabricant | PMT21EN,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMT21EN,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMT21EN,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMT21EN,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMT21EN,115-FT |
BUK7109-75AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7109-75ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK714R1-40BT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-40ATC,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM650VNEZ
Nexperia USA Inc.
PHK04P02T,518
Nexperia USA Inc.
PHK12NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK12NQ10T,518
NXP USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel