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PMN25EN,115 Image

NXP USA Inc. PMN25EN,115

Numéro de pièce MFG
PMN25EN,115
quantité disponible
28580 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMN25EN,115.pdf
PMN25EN,115 Image

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PMN25EN,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMN25EN,115
Numéro de pièce future FT-PMN25EN,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMN25EN,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
Paquet / caisse SC-74, SOT-457
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMN25EN,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMN25EN,115-FT

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