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Référence fabricant | SI2311DS-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI2311DS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI2311DS-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 710mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2311DS-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI2311DS-T1-E3-FT |
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS127 E6327
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BSS127H6327XTSA1
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BSS127L6327HTSA1
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BSS131E6327
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BSS131L6327HTSA1
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BSS138-D87Z
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BSS138N E6433
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BSS138N E6908
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BSS138N E7854
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ICE40UP5K-SG48I
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XC3S250E-5PQ208C
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
Intel