maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMGD780SN,115
Référence fabricant | PMGD780SN,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMGD780SN,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMGD780SN,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 490mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
Puissance - Max | 410mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMGD780SN,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMGD780SN,115-FT |
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