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Référence fabricant | PMEG3010ER,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMEG3010ER,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMEG3010ER,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 360mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 170pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123W |
Package d'appareils du fournisseur | CFP3 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3010ER,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMEG3010ER,115-FT |
1N4448,113
NXP USA Inc.
1N4448,133
Nexperia USA Inc.
1N4448,143
NXP USA Inc.
1N914B,113
NXP USA Inc.
BAW62,113
NXP USA Inc.
BAW62,133
NXP USA Inc.
BAW62,143
NXP USA Inc.
1N4531,113
Nexperia USA Inc.
BAS45A,113
Nexperia USA Inc.
BAS45A,133
Nexperia USA Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel