maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS45A,133
Référence fabricant | BAS45A,133 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS45A,133 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS45A,133 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 125V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AG, DO-34, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-34 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS45A,133 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS45A,133-FT |
FESF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GURF5H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GURF5H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel