maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMDXB600UNELZ
Référence fabricant | PMDXB600UNELZ |
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Numéro de pièce future | FT-PMDXB600UNELZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMDXB600UNELZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
Puissance - Max | 380mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010B-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB600UNELZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMDXB600UNELZ-FT |
NTLGD3502NT1G
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NVLJD4007NZTAG
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
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EP2AGX260EF29C5
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