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Référence fabricant | PHB45NQ10T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHB45NQ10T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHB45NQ10T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB45NQ10T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHB45NQ10T,118-FT |
PSMN2R0-60PSRQ
Nexperia USA Inc.
PSMN2R1-40PLQ
Nexperia USA Inc.
BUK78150-55A,115
NXP USA Inc.
BUK78150-55A,135
NXP USA Inc.
BUK7880-55,135
NXP USA Inc.
BUK9832-55A,115
NXP USA Inc.
PHT11N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT2NQ10T,135
NXP USA Inc.
PHT6N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT6N06T,135
NXP USA Inc.
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel