maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / PH2729-130M
Référence fabricant | PH2729-130M |
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Numéro de pièce future | FT-PH2729-130M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PH2729-130M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 63V |
Fréquence - Transition | - |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 9.73dB ~ 8.85dB |
Puissance - Max | 130W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12.5A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH2729-130M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PH2729-130M-FT |
2SC4703-AZ
CEL
NE46134-T1
CEL
NE46234-AZ
CEL
NE46234-SE-AZ
CEL
NE46234-T1-AZ
CEL
NE46234-T1-SE-AZ
CEL
NE85634-T1
CEL
NE85634-T1-RE-A
CEL
NE856M02-AZ
CEL
NESG250134-T1-AZ
CEL
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
APA600-CQ208B
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100A
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2X
Intel
5SGXMA3E3H29C4N
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
10AX090H4F34I3LG
Intel