maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE856M02-AZ
Référence fabricant | NE856M02-AZ |
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Numéro de pièce future | FT-NE856M02-AZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE856M02-AZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 6.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 12dB |
Puissance - Max | 1.2W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-89 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-AZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE856M02-AZ-FT |
BFU530R
NXP USA Inc.
BFU530XAR
NXP USA Inc.
BFU550XAR
NXP USA Inc.
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BFP196E6327HTSA1
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