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PH2625L,115 Image

Nexperia USA Inc. PH2625L,115

Numéro de pièce MFG
PH2625L,115
quantité disponible
22850 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PH2625L,115 Caractéristiques

Référence fabricant PH2625L,115
Numéro de pièce future FT-PH2625L,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PH2625L,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4308pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse SC-100, SOT-669
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH2625L,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PH2625L,115-FT

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