maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMD6,115
Référence fabricant | PEMD6,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PEMD6,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMD6,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD6,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMD6,115-FT |
NSVMUN531335DW1T3G
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NSVMUN5334DW1T1G
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SMUN5112DW1T1G
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5AGXFB7H4F35C5N
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