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ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G

Numéro de pièce MFG
SSVMUN5312DW1T2G
quantité disponible
52430 Pièces
Prix de référence
USD 0.08528
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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SSVMUN5312DW1T2G Caractéristiques

Référence fabricant SSVMUN5312DW1T2G
Numéro de pièce future FT-SSVMUN5312DW1T2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SSVMUN5312DW1T2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V
Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 187mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSVMUN5312DW1T2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSVMUN5312DW1T2G-FT

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